本项目计算了一个分子在固体表面上的相互作用能曲线,用于确定最优吸附距离、吸附强度与脱附趋势。这张图展示的是典型的 Lennard-Jones 型相互作用:近距排斥、中距势阱、远距 van der Waals 尾。

曲线最低点就是分子在表面上的”最佳站位”。坑深 0.38 eV 是吸附强度——低于 0.5 eV 一般算弱物理吸附,室温下能可逆脱附;坑底对应的距离 3.48 Å 比化学键长得多,说明主要靠范德华力粘着。曲线尾巴按 r⁻⁶ 衰减,正是色散作用的指纹。看一张图,吸附强不强、靠多近、靠什么力,全有了。
相互作用能定义为:
E_int(r) = E_{molecule+surface}(r) − E_{molecule} − E_{surface}
本项目沿垂直于表面的方向,以 0.1 Å 为步长从 2.5 Å 扫描到 9 Å,计算每个距离下的体系总能量。扫描覆盖了排斥区、势阱区与长程尾区,保证曲线形状完整。
相互作用能曲线形状几乎完全由色散项决定,泛函选错全盘皆输:
| 方法 | 对弱相互作用描述 | 适用场景 |
| PBE(纯) | 几乎忽略,吸附能≈0 | 仅结构初猜 |
| PBE-D3 | 经验修正,性价比高 | 本案例采用 |
| vdW-DF2 | 非局域泛函,物理但贵 | 强吸附/精确需求 |
| optB88-vdW | 介于二者之间 | 表面吸附系统 |
本项目用 PBE-D3:在可接受成本内给出了 r₀ = 3.48 Å、ε = 0.38 eV 的合理势阱。若关心吸附构型随覆盖度的变化,应升级到 vdW-DF 系列。
得到 ε = 0.38 eV、r₀ = 3.48 Å 后,本项目用四步确认它不是数值假象:
单点扫描只给出垂直方向的势能曲线,真实的吸附构型还需要在表面上做二维平移与旋转搜索。分子相互作用能相关方法可参考本站的分子对接计算栏目。更多服务见科研学术网首页。
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